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经过专业人员从镀膜工艺参数设定、硅片制绒面反射率及石墨舟状态3 个方面对管式PECVD 镀膜均匀性进行了研究,结果表明:
1) 镀膜过程中适当降低腔体外层压力,增加内层氮硅比,降低射频功率对片内或片间均匀性有所改善。实验过程中,在保证良率的情况下,选择外层压力为1700 mTorr、内层氮硅比为4.487、射频功率为7600 W 时,调节DLV 优化石墨舟各区温度且定期清理腔体内部碎片可改善镀膜均匀性。
2) 在一定范围内,制绒面反射率增加,膜厚增大,片内均匀性更优。
3) 新石墨舟镀膜均匀性明显优于旧石墨舟;在新石墨舟使用周期内,运行30 次时片间均匀性达到最优。
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